потом появились ячейки с тремя состояниями TLC, потом с четырьмя QLC и тд. и тд.
-это все замечательно но по сути все эти ухищрения с аналоговой фактически записью двух или четырех бит в одну ячейку ,
приводят только к уменьшению кол-ва циклов перезаписи, т.е по сути qlc и дальше можно пользовать только для чтения т.к 1000
циклов это вообще ниочем, slc оно хотя бы более 10000 ( хотя это тоже ниочем), настоящая память для пацанов должна быть
относительно вечной и с минимальным временем считывания записи, а это только триггеры кмос( статическая память) с
аккумуляторным питанием, все остальное это от лукавого и пропаганда
сейчас начинают использовать технологию X-NAND, вот только что на рынок вышла память с 232 слоями упаковки.
-это в каком смысле 232 слоя? это что обьемные кремниевые кристаллы стали делать? -это физически нереализуемо, т.к
вырастить и протравить слой sio2 на готовой пластине с чипами невозможно( а про трехмерные атомарные принтеры я не слыхал)
если только пластины между собой клеить задницами ( у ibm было както такое глупое решение) но все одно только два слоя получим
причем неясно как тепло отводить